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电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响

本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅（SOI）器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影......

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绝缘体上硅部分耗尽电离辐射低频噪声 silicon on insulator partially depleted ionizing radiatio

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